普通存储器差异分析

常见存储器存在一些区别。这些常见存储器在日常学习和工作中经常接触。现在先来了解几种常见的存储器：

1、ram和rom:

ram(randomaccessmemory)：

是一种随机存储器。存储器的内容可以根据需要随意取出或存储，存取速度与存储器的位置无关；同时也有缺点，就是断电时保存的内容都会丢失；它的主要功能是存储代码和数据供CPU在需要时调用。根据不同的存储信息，我们可以将其分为两种类型的存储器：

（1）静态随机存储器(staTIcram，简称sram)

（2）动态随机存储器(dynamicram，简称dram)

rom(read-onlymemory):

只读存储器，也就是说只能读取事先规定的存储数据，存储后不能修改内部数据，也不会因断电而丢失数据。

2、sram和sdram:

Sram:

是一种静态随机存储器(staTIcram，简称sram)。一般来说，这种存储器不需要刷新电路就可以保存内部存储的数据。其特点是读写速度非常快，是目前读写速度最快的存储设备，但也非常昂贵，所以只在要求非常严格的地方使用，如CPU一级缓冲、二级缓冲、三级缓冲(我们可以看到以上存储器的层次结构。

Dram:

它是一种动态随机存储器(dynamicram，简称dram)，但不同于静态随机存储器。动态随机存取存储器需要不断刷新才能保存数据。其特点是保存数据的时间短，速度比SRAM慢，但还是比任何ROM快，但是价格上DRAM比SRAM便宜很多。计算机内存是DRAM(内存用于存储目前正在使用的(即执行中)的数据和程序。我们通常提到的计算机内存是指动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的动态是指当我们将数据写入DRAM时，数据会丢失一段时间，因此需要额外的电路来刷新内存)。

3、flash：

flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的优点，它不仅具有电子擦除可编程(EEPROM)的性能，而且在不断电丢失数据的情况下，还能快速读取数据(NVRAM的优点)，U盘和MP3都使用这种存储器。以前，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为其存储设备，但近几年来，Flash完全取代了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用于存储Bootloader、操作系统或程序代码，或直接用于硬盘(U盘)。flash又分为两类：

4、NORFlash与NADNFlash

这两种flash应该是我们通常看到的最多的存储器。让我们重点看看他们的区别:

(1)性能比较:

任何flash设备的写入操作只能在空或擦除的单元中进行，因此在大多数情况下，在写入操作前必须进行擦除。NAND设备的擦除操作非常简单，而NOR需要在擦除前将目标块中的所有位置写成1。

因为NOR器件的擦除是用64~128KB的块进行的，所以写/擦除的时间是5s，相反，NAND器件的擦除是用8~32KB的块进行的，所以同样的操作最多只需要4ms。

NOR的阅读速度略快于NAND，但NAND的写入速度远快于NOR。

NAND的4ms擦除速度远快于NOR的5s；大部分写作操作都需要先擦除；NAND的去除单元较小，相应的去除电路较少。

(2)接口差异：

NORflash有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻找地址，可以轻松访问其内部的每个字节。

NAND读写操作采用512字节块，有点像硬盘管理。自然，基于NAND的存储器可以代替硬盘或其他块设备。

(3)费用：

NORFlash的读取和我们常见的SDRAM一样。用户可以直接运行装载在NORFLASH中的代码，从而降低SRAM的容量，节约成本。

NANDFlash不采用随机读取内存的技术，它的读取是以一次读取一个字节的形式进行的，通常一次读取512个字节，而采用这种技术的Flash更便宜。使用者无法直接在NANDFlash上运行代码，所以很多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlah外，还增加了一个小的NORFlash来运行启动代码。

NORFlash一般用于小容量，因为它读取速度快，多用于存储操作系统等重要信息，而NANDFLASH用于大容量，NANDFLASH用于嵌入式系统的DOC(DiskOnChip)和我们通常使用的闪盘，可在线擦除。

(4)使用方便：

基于NOR的闪存可以直接使用，可以像其他存储器一样连接，代码可以直接在上面运行。

因为nandflash需要I/O接口，所以要复杂得多。各种NAND设备的访问方法因制造商而异。

在使用NAND设备时，必须在继续执行其他操作之前写入驱动程序。将信息写入NAND设备需要相当的技巧，因为设计师不能把它写在坏块上，这意味着虚拟映射必须始终在NAND设备上进行。

(5)寻址：

NAND每次读取数据时都是指定的块地址、页面地址、列地址，列地址是指读取的页面内的起始地址，每次都是先将数据读取到页面缓冲区，然后由I/O输入地址在缓冲区寻找地址，其实这里列地址，只是指定起始地址的作用。

NAND是以页面为基本单位进行操作的。写数据也是先在页面缓冲区进行缓冲，数据先写在这里，再写命令写下命令，然后统一写在页面上。

所以NAND页面缓冲区的作用就是保证芯片按页的读写操作，是I/O操作和芯片操作的界面、桥梁，因为数据是从I/O输入的，又是每一个字节，所以需要缓冲。

由此NAND页面缓冲区的作就是要重写整个页面，因为它只支持页面写，如果页面内有未擦除的部分，就不能编程，在写之前一定要保证页面是空的。

NOR的读写是字节作为基本单位操作的，但擦除是扇区操作的。综上所述，在芯片操作上，NAND比NOR快很多，因为NAND是页面操作，NOR是字节操作。

(6)应用程序：

NAND就是基于这种结构：块、页，不能字节寻址，页读写本身就依赖于内部复杂的串、并行转换，所以也没有太多的地址引脚，所以它的地址、数据线是共享的，所以容量可以做得很大。与SRAM相同，NOR可以随机存储，不需要驱动，所以，它的地址是有限的，所以容量一般都比较小，实际上是受地址线的限制。

基于以上几点可知：NOR广泛应用于工业领域，尤其是程序存储、少量数据存储等。大量的数据存储在消费领域，NAND较多。